| 型号： | FDS8960C | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| FDS8960C PDF |  |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图 | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | PowerTrench® |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 7.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 570pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | FDS8960CDKR |